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探究金属管浮子流量计在纳米级空间中的阻碍

发布日期:2019-11-20 11:30:43  来源:  作者:  浏览次数:
【导读】:该团队与TU Delft的van der Zant实验室合作,设法在电极之间的纳米级空间中捕获并检查了广泛使用的参考分子,以确认金属管浮子流量计技术并未阻碍分子结的形成。 共同作者之一Shyamprasad Natarajan Raja说,这种金属管浮子流量计技术为结构可扩展生产的僵局提供了突破,这有一天可能使包含单个分子的电子设备成为可能。......
开发金属管浮子流量计的新的更快,可扩展的方法
 
    电子学的未来部分取决于硅导体的修改和发展。
 
    分子电子学可以为此做出贡献,并且该领域的研究人员一直在致力于开发可扩展的纳米级电极,该电极可用于探索和操纵分子行为以使电子材料受益。
 
    现在,KTH的微和纳米系统系的一个团队已成功开发出一种方法,可以开发数百万个可行的纳米级分子结。该发现非常近在《自然通讯》上有报道。
 
    科学家声称,使用直径为100 mm的薄晶圆,他们可以在五个小时内使用脆性材料顶部的金膜形成裂纹,从而制作多达2000万个这种电极。
 
    该团队与TU Delft的van der Zant实验室合作,设法在电极之间的纳米级空间中捕获并检查了广泛使用的参考分子,以确认金属管浮子流量计技术并未阻碍分子结的形成。
 
    共同作者之一Shyamprasad Natarajan Raja说,这种金属管浮子流量计技术为结构可扩展生产的僵局提供了突破,这有一天可能使包含单个分子的电子设备成为可能。
 
金属管浮子流量计.jpg
 
 
    关键是要形成能引起隧道现象的间隙,在该隧道中,电子占据了电路中的突破口。
 
    断裂结具有几个原子大小的间隙,这会中断电子的流动。
 
    但是,该间隙很小,具有足够能量的电子仍然可以跳过它。
 
    隧道电子能承受很小但可测量的电流,该电流对间隙的大小以及间隙中纳米物体的存在非常敏感。
 
    该技术使用光刻技术在氮化钛(TiN)上构图一堆金。
 
    将该叠层放置在金属管浮子流量计上,新形成的缺口结构会集中应力。
 
    当去除叠层正下方的硅时(一种称为释放刻蚀的工艺),在TiN的预定位置会形成细小裂纹,从而释放应力。
 
    反过来,这会使金变形,将其拉伸成原子细线穿过这些裂纹,断裂时会形成像分子一样小的间隙。
 
    Raja说,该技术可以用于其他金属管浮子流量计,具有出色的化学,电学和等离子体特性,可用于分子电子学和自旋电子学,生物传感和纳米等离子体学。

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